SCT2280KEGC11
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Rohm Semiconductor SCT2280KEGC11
| Artikelnummer: | SCT2280KEGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $13.18 |
| 10+ | $12.111 |
| 100+ | $10.2286 |
| 500+ | $9.099 |
| 1000+ | $8.346 |
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Rohm Semiconductor SCT2280KEGC11 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SCT2280KEGC11.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1.4mA Vgs (Max) +22V, -6V Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device-Gehäuse TO-247N Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 364mOhm @ 4A, 18V Verlustleistung (max) 108W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Paket Tube Betriebstemperatur 175°C Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 667 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 18 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) Grundproduktnummer SCT2280 -
- Rückgabe -Richtlinien
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